Name: Vishay Siliconix SI3850ADV-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI3850ADV-T1-GE3
Availability: InStock
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Vishay Siliconix SI3850ADV-T1-GE3

Artikelnummer:

SI3850ADV-T1-GE3

Hersteller / Marke:

Vishay / Siliconix

Teil der Beschreibung.:

MOSFET N/P-CH 20V 1.4A 6-TSOP

Datenblätte:

1.SI3850ADV-T1-GE.pdf ···: PCN -Obsoleszenz/ EOL
PCN- SIL-0582013 05/Dec/2013.pdf

Datenblätter
SI3850ADV.pdf

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ECAD -Modell:

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Spezifikationen
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Versandinformationen
Verpackung

~~Vishay Siliconix SI3850ADV-T1-GE3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments SI3850ADV-T1-GE3.~~

Produkteigenschaften	Eigenschaften
VGS (th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	6-TSOP
Serie	TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs	300mOhm @ 500mA, 4.5V
Leistung - max	1.08W
Verpackung / Gehäuse	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Paket	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Befestigungsart	Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	1.4nC @ 4.5V
FET-Merkmal	Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)	20V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	1.4A, 960mA
Konfiguration	N and P-Channel, Common Drain
Grundproduktnummer	SI3850
SI3850ADV-T1-GE3 Einzelheiten PDF [English]	SI3850ADV-T1-GE3 PDF - EN.pdf

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